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IGBT——IGBT单管

型号规格书集电极-发射极电压VCES min.(V) 集电极电流IC @ TC=80℃(A) 饱和压降VCE(sat)typ.(V) 开关能量损耗典型值Eon+Eoff typ.Tj=125℃（mJ）最大结-壳热阻 Rth(j-c)max.(℃/W) 封装产品状态

650 50 1.60 2.31 0.46 TO-247 Active

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