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Mosfet——中低压Mosfet
型号 规格书 结构 产品极性N/P 漏源电压VDSS (V) 工作电流ID (A) 耗散功率Pd(W) 栅源电压VGS (V) 阈值电压Vth(V)Min 阈值电压Vth(V)Typ 阈值电压Vth(V)Max 导通电阻Rdson(mΩ)@VGS10VTyp 导通电阻Rdson(mΩ)@VGS10VMax 导通电阻Rdson(mΩ)@VGS4.5V Typ 导通电阻Rdson(mΩ)@VGS4.5VMax 导通电阻Rdson(mΩ)@VGS2.5VTyp 导通电阻Rdson(mΩ)@VGS2.5VMax 导通电阻Rdson(mΩ)@VGS1.8VTyp 导通电阻Rdson(mΩ)@VGS1.8VMax 输入电容Ciss(pF)Typ 输出电容Coss(pF)Typ 反向传输电容Crss(pF)Typ 栅极电荷Qg(nC)Typ 封装 产品状态 产品等级
YJD65G10A
Single N 100 65 96 ±20 1.3 1.8 2.5 7.5 8.6 9 11.5 2270 797 36 32 TO-252 Active Industrial

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